Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STF6N60M2

STF6N60M2

stf6n60m2.pdf
Код товару: 155644
Виробник: ST
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
у наявності 40 шт:
35 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна без ПДВ
1+43 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STF6N60M2 за ціною від 36.71 грн до 131.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STF6N60M2 STF6N60M2 Виробник : STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.49 грн
10+ 70.25 грн
16+ 53.59 грн
43+ 50.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF6N60M2 STF6N60M2 Виробник : STMicroelectronics STF6N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 2.9A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.56 грн
10+ 84.3 грн
16+ 64.31 грн
43+ 60.83 грн
1000+ 59.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF6N60M2 STF6N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00087510.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.27 грн
50+ 77.24 грн
100+ 61.22 грн
500+ 48.69 грн
1000+ 39.67 грн
2000+ 37.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF6N60M2 STF6N60M2 Виробник : STMicroelectronics stf6n60m2-1850628.pdf MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+107.87 грн
10+ 86.35 грн
100+ 59.37 грн
500+ 50.33 грн
1000+ 41.02 грн
2000+ 38.58 грн
5000+ 36.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF6N60M2 STF6N60M2 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00087510.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STF6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+131.8 грн
10+ 99.83 грн
100+ 74.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF6N60M2 STF6N60M2 Виробник : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF6N60M2 STF6N60M2 Виробник : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STF6N60M2 Виробник : STMicroelectronics 22499591356466dm00087510.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

NCP1200D60R2G
Код товару: 25096		 NCP1200-D-59331.pdf
NCP1200D60R2G
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: AC/DC Adapters
Напруга вхідна, V: 16 V
Iвых., A: 250 mA
Fosc, kHz: 61 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
у наявності: 102 шт
89 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна без ПДВ
1+48 грн
AOTF7N65
Код товару: 153855		 aot7n65-datasheet.pdf
AOTF7N65
Виробник: A&O
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,56 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 887/19
Монтаж: THT
у наявності: 35 шт
21 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
10+ 36 грн
Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g
Код товару: 15924		 cynel.pdf
Дротяний припій, 1mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø1.0, 100g
Виробник: CYNEL
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Припої, паяльні пасти
Категорія: Припій з флюсом
Опис: Припій для м'якої пайки з флюсом. Припій: Sn60Pb40; дріт; 1,0мм; 0,1кг; флюс: F-SW26; 2,5%, температура плавлення:190 ° С
Вага/Об’єм/К-сть: 100 g
Діаметр: 1 mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
Вид припоя: Свинцевий
у наявності: 1207 шт
1124 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
31 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 345 шт
45 шт - очікується
300 шт - очікується 30.08.2024
Кількість Ціна без ПДВ
1+281 грн
10+ 264 грн
100+ 248 грн
1000+ 240 грн
10uF 450V ESG 13x25mm (for ballast, 5000 годин) (ESG100M2WB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 15883		 ESG_080319.pdf
10uF 450V ESG 13x25mm (for ballast, 5000 годин) (ESG100M2WB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 450 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 1164 шт
946 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
49 шт - РАДІОМАГ-Львів
31 шт - РАДІОМАГ-Харків
90 шт - РАДІОМАГ-Одеса
26 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
3+9 грн
10+ 8.1 грн
100+ 7.3 грн
1000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
22uF 400V ESG 13x25mm (for ballast, 5000годин) (ESG220M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 11465		 ESG_080319.pdf
22uF 400V ESG 13x25mm (for ballast, 5000годин) (ESG220M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ESG
Тип: для баласту з довгим терміном служби, 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 13х25mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 896 шт
789 шт - склад
31 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
55 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 50 шт
50 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
2+15 грн
10+ 13.5 грн
100+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 2