STF26NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 417.98 грн |
7+ | 141.2 грн |
17+ | 133.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF26NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STF26NM60N за ціною від 160.57 грн до 567.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF26NM60N | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 600 V 20 A Mdmesh |
на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF26NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF26NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF26NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.135 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STF26NM60N Код товару: 133690 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
STF26NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STF26NM60N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |