Технічний опис STF25NM50N STM
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STF25NM50N
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
STF25NM50N | Виробник : ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
STF25NM50N | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||
STF25NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
STF25NM50N | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh |
товар відсутній |