![STF16N65M5 STF16N65M5](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/88f01fa4a89b71f11bee08b62e43811cd4ca3cd5/stf7n60dm2.jpg)
STF16N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 110.1 грн |
10+ | 102.95 грн |
25+ | 100.3 грн |
100+ | 90.28 грн |
250+ | 82.14 грн |
500+ | 75.33 грн |
1000+ | 68.97 грн |
2000+ | 66.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF16N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STF16N65M5 за ціною від 71.81 грн до 257.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 11971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 90W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.279Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
STF16N65M5 |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
STF16N65M5 Код товару: 201571 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
STF16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |