![STF15NM65N STF15NM65N](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/51/11/01/00/0/1052949_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a8f4052d8a3419a79e72b692a21133dd9c0ee3a9)
STF15NM65N STMicroelectronics
![STF%28I%2915NM65N.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 303.38 грн |
10+ | 220.15 грн |
12+ | 72.42 грн |
32+ | 68.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF15NM65N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STF15NM65N за ціною від 81.69 грн до 364.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 983 pF @ 50 V |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
STF15NM65N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |