![STE53NC50 STE53NC50](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2009/7/8/5/21/57/173/st_/manual/4pin_isotop.jpg)
STE53NC50 STMicroelectronics
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1437.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STE53NC50 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: ISOTOP, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STE53NC50 за ціною від 1730.8 грн до 3279.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STE53NC50 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 212A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STE53NC50 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Module; single transistor; 500V; 33A; ISOTOP; screw; Idm: 212A; 460W Mechanical mounting: screw Kind of package: tube Electrical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: MDmesh™; MESH OVERLAY™; PowerMesh™ Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 212A Case: ISOTOP Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 33A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STE53NC50 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: ISOTOP Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 434 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STE53NC50 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STE53NC50 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STE53NC50 Код товару: 43603 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||
![]() |
STE53NC50 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
STE53NC50 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |