STD6N62K3 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 620V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 96.33 грн |
| 10+ | 84.39 грн |
| 100+ | 69.82 грн |
| 500+ | 58.11 грн |
| 1000+ | 49.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD6N62K3 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD6N62K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 620 V, 5.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 620V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD6N62K3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STD6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
| STD6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
STD6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
STD6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 706 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
 |
STD6N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Channel 620V 1.1 Ohms 5.5A |
товару немає в наявності |