STD5NM60T4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 69.67 грн |
| 5000+ | 64.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5NM60T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD5NM60T4 за ціною від 36.94 грн до 160.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD5NM60T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 5 Amp |
на замовлення 2130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 8064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD5NM60T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5NM60T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STD5NM60T4 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 5A; 96W; -55°C ~ 150°C; STD5NM60T4 TSTD5NM60t4 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,5 А, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; DPAK-3 |
на замовлення 986 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD5NM60T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.1A; 96W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.1A Power dissipation: 96W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |