STD5N20LT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.84 грн |
| 5000+ | 23.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD5N20LT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD5N20LT4 за ціною від 22.44 грн до 97.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD5N20LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD5N20LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 5 Amp |
на замовлення 9389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD5N20LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD5N20LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V |
на замовлення 11731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD5N20LT4 |
|
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
STD5N20LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |