STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.67 грн |
| 75+ | 40.62 грн |
| 150+ | 29.49 грн |
| 525+ | 23.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: StripFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STD12NF06L-1 за ціною від 17.96 грн до 68.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp |
на замовлення 11327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 12A; 30W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 30W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06L-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: StripFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STD12NF06L1 | Виробник : ST |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD12NF06L-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |