STD120N4F6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 91.83 грн |
| 500+ | 77.59 грн |
| 1000+ | 61.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD120N4F6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STD120N4F6 за ціною від 61.34 грн до 201.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD120N4F6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 9837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A S TripFET VI DeepGATE |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 2178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STD120N4F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |