STD11N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 150+ | 81.53 грн |
| 176+ | 69.42 грн |
| 205+ | 59.39 грн |
| 216+ | 54.37 грн |
| 500+ | 47.11 грн |
| 1000+ | 42.48 грн |
| 2000+ | 39.99 грн |
| 2500+ | 38.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD11N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STD11N65M2 за ціною від 43.65 грн до 140.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD11N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD11N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STD11N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |