![STB8N65M5 STB8N65M5](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/5A/7E/00/00/0/59301_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=c99dc3dbc3e6eb906d24139a932a6965e4c37aad)
STB8N65M5 STMicroelectronics
![STB8N65M5.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 192.63 грн |
5+ | 154.98 грн |
6+ | 145.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB8N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB8N65M5 за ціною від 90.38 грн до 231.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.4A Power dissipation: 70W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
STB8N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V |
товар відсутній |