Продукція > STMICROELECTRONICS > STB42N60M2-EP
STB42N60M2-EP

STB42N60M2-EP STMicroelectronics

STx42N60M2-EP.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+194.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB42N60M2-EP STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB42N60M2-EP за ціною від 178.2 грн до 479.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics stb42n60m2_ep-1850483.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 423-432 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+467.19 грн
10+ 386.96 грн
25+ 317.71 грн
100+ 272.53 грн
250+ 256.54 грн
500+ 241.94 грн
1000+ 207.17 грн
STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STx42N60M2-EP.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+479.8 грн
10+ 311.4 грн
100+ 226.27 грн
500+ 178.2 грн
STB42N60M2-EP STB42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB42N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 6129476363782412dm0015.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній