Продукція > STMICROELECTRONICS > STB30N65M5
STB30N65M5

STB30N65M5 STMicroelectronics

en.CD00223067.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+238.07 грн
2000+ 215.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB30N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB30N65M5 за ціною від 214.13 грн до 485.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB30N65M5 STB30N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00223067.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 139mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.25 грн
10+ 372.3 грн
100+ 301.2 грн
500+ 251.26 грн
STB30N65M5 STB30N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb30n65m5-1850253.pdf MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+485.03 грн
10+ 401.35 грн
25+ 328.84 грн
100+ 281.56 грн
250+ 266.27 грн
500+ 250.97 грн
1000+ 214.13 грн
STB30N65M5 STB30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB30N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1684757472877372cd0022.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній