на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.48 грн |
| 10+ | 280.48 грн |
| 25+ | 229.83 грн |
| 100+ | 197.5 грн |
| 250+ | 186.26 грн |
| 500+ | 175.01 грн |
| 1000+ | 150.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB12NM50T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB12NM50T4 за ціною від 155.95 грн до 365.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STB12NM50T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STB12NM50-T4 | Виробник : ST |
на замовлення 3574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
09+ SPQ 1K P |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
STB12NM50T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
товар відсутній |