Продукція > STMICROELECTRONICS > STB10N60M2
STB10N60M2

STB10N60M2 STMicroelectronics

stp10n60m2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.19 грн
10+ 104.72 грн
100+ 83.38 грн
500+ 66.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB10N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB10N60M2 за ціною від 56.48 грн до 146.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB10N60M2 STB10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb10n60m2-1850076.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.51 грн
10+ 119.66 грн
100+ 83.24 грн
250+ 81.81 грн
500+ 70.11 грн
1000+ 59.49 грн
2000+ 56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB10N60M2 STB10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stu10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2 STB10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stu10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stu10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2 STB10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stu10n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB10N60M2 STB10N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товар відсутній