Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6P816R,LF
SSM6P816R,LF

SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.69 грн
11+ 27.02 грн
100+ 18.77 грн
500+ 13.75 грн
1000+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F.

Інші пропозиції SSM6P816R,LF за ціною від 9.49 грн до 35.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Виробник : Toshiba SSM6P816R_datasheet_en_20200727-3082746.pdf MOSFET
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.83 грн
11+ 30.07 грн
100+ 18.2 грн
500+ 14.2 грн
1000+ 11.6 грн
3000+ 9.77 грн
9000+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6P816R,LF SSM6P816R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
товар відсутній