Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6P47NU,LF
SSM6P47NU,LF

SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P47NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2660&prodName=SSM6P47NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.37 грн
14+ 22.33 грн
100+ 15.5 грн
500+ 11.36 грн
1000+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2).

Інші пропозиції SSM6P47NU,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6P47NU,LF SSM6P47NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU_datasheet_en_20140301.pdf?did=2660&prodName=SSM6P47NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-µDFN (2x2)
товар відсутній
SSM6P47NU,LF SSM6P47NU,LF Виробник : Toshiba SSM6P47NU_datasheet_en_20140301-1916426.pdf MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
товар відсутній