SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.54 грн |
| 6000+ | 7.88 грн |
| 9000+ | 7.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.
Інші пропозиції SSM6P40TU,LF за ціною від 6.7 грн до 34.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6P40TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 226mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 |
на замовлення 17014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P40TU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm a. 4V |
на замовлення 83995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6P40TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin UF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SSM6P40TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.4A 6-Pin UF T/R |
товару немає в наявності |