на замовлення 6217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.28 грн |
15+ | 22.88 грн |
100+ | 8.99 грн |
1000+ | 6.28 грн |
4000+ | 5.99 грн |
8000+ | 5.28 грн |
24000+ | 5.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6P15FE(TE85L,F)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R |
товар відсутній |
||
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товар відсутній |
||
SSM6P15FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товар відсутній |