Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N62TU,LF
SSM6N62TU,LF

SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N62TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=37065&prodName=SSM6N62TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.23 грн
6000+ 8.44 грн
9000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.

Інші пропозиції SSM6N62TU,LF за ціною від 9.33 грн до 27.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6N62TU,LF SSM6N62TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=37065&prodName=SSM6N62TU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 15589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.37 грн
13+ 22.55 грн
100+ 15.68 грн
500+ 11.48 грн
1000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
SSM6N62TU,LF SSM6N62TU,LF Виробник : Toshiba SSM6N62TU_datasheet_en_20210528-2449170.pdf MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=20V, VGSS=+/-8V, ID=0.8A, RDS(ON)=0.085ohm a. 4.5V, in UF6 package
товар відсутній