![SSM6N44FE,LM SSM6N44FE,LM](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4850/264_SOT-563.jpg)
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM6N44FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=366&prodName=SSM6N44FE](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 5.13 грн |
8000+ | 4.72 грн |
12000+ | 4.09 грн |
28000+ | 3.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6N44FE,LM за ціною від 4.64 грн до 28.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6N44FE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 89793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM6N44FE,LM | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 4648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |