на замовлення 37806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.11 грн |
20+ | 17.04 грн |
100+ | 6.98 грн |
1000+ | 6.11 грн |
3000+ | 4.6 грн |
9000+ | 4.24 грн |
24000+ | 4.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N43FU,LF Toshiba
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 200mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: US6.
Інші пропозиції SSM6N43FU,LF за ціною від 6.12 грн до 31.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM6N43FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SSM6N43FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.23nC @ 4V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: US6 |
товар відсутній |