SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.75 грн |
| 6000+ | 4.13 грн |
| 9000+ | 3.9 грн |
| 15000+ | 3.41 грн |
| 21000+ | 3.27 грн |
| 30000+ | 3.13 грн |
| 75000+ | 2.77 грн |
| 150000+ | 2.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N37FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: US6.
Інші пропозиції SSM6N37FU,LF за ціною від 3.3 грн до 27.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6N37FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 206429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6N37FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET ID=0.25A VDSS=20V |
на замовлення 14408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|