![SSM6N35AFU,LF SSM6N35AFU,LF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/264_6-TSSOP, SC-88, SOT-363.jpg)
SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM6N35AFU_datasheet_en_20161121.pdf?did=55424&prodName=SSM6N35AFU](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: US6.
Інші пропозиції SSM6N35AFU,LF за ціною від 4.71 грн до 30.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6N35AFU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 285mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: US6 |
на замовлення 4325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6N35AFU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 3218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|