![SSM6L56FE,LM SSM6L56FE,LM](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4850/264_SOT-563.jpg)
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM6L56FE_datasheet_en_20190801.pdf?did=66256&prodName=SSM6L56FE](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 4.27 грн |
8000+ | 3.93 грн |
12000+ | 3.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6L56FE,LM за ціною від 2.77 грн до 26.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6L56FE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V, 100pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V, 390mOhm @ 800mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 22383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6L56FE,LM | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 42813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SSM6L56FE,LM | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
SSM6L56FE,LM | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |