![SSM6L35FE,LM SSM6L35FE,LM](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4850/264_SOT-563.jpg)
SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM6L16FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=1226&prodName=SSM6L16FE](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 4.89 грн |
8000+ | 4.51 грн |
12000+ | 3.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6L35FE,LM за ціною від 4.42 грн до 33.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6L35FE,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 100mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 27310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM6L35FE,LM | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 6152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|