SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.94 грн |
| 8000+ | 6.53 грн |
| 12000+ | 5.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції SSM6L14FE(TE85L,F) за ціною від 5.28 грн до 34.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 720mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 20122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V |
на замовлення 477051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6L14FE(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.8A/0.72A 6-Pin ES T/R |
товар відсутній |