![SSM6L12TU,LF SSM6L12TU,LF](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/UF6_2_2T1D_6_DSL.jpg)
на замовлення 17627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 37.39 грн |
12+ | 28.45 грн |
100+ | 12.3 грн |
1000+ | 9.42 грн |
3000+ | 7.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6L12TU,LF Toshiba
Description: MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active.
Інші пропозиції SSM6L12TU,LF за ціною від 10.95 грн до 38.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6L12TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SSM6L12TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V, 218pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active |
товар відсутній |