Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J808R,LXHF
SSM6J808R,LXHF

SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.22 грн
10+ 44.37 грн
100+ 30.73 грн
500+ 24.09 грн
1000+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SSM6J808R,LXHF за ціною від 19.12 грн до 57.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Виробник : Toshiba SSM6J808R_datasheet_en_20210528-2584120.pdf MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
на замовлення 14993 шт:
термін постачання 264-273 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.24 грн
10+ 50.03 грн
100+ 29.66 грн
500+ 24.74 грн
1000+ 21.09 грн
3000+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
SSM6J808R,LXHF SSM6J808R,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R_datasheet_en_20210528.pdf?did=67689&prodName=SSM6J808R Description: AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній