Продукція > TOSHIBA > SSM6J771G,LF
SSM6J771G,LF

SSM6J771G,LF Toshiba

SSM6J771G_datasheet_en_20140312-1916175.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.08 грн
10+ 44.12 грн
100+ 29.45 грн
500+ 23.25 грн
1000+ 18.61 грн
3000+ 16.19 грн
6000+ 15.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J771G,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM6J771G,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J771G,LF SSM6J771G,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G_datasheet_en_20140312.pdf?did=14222&prodName=SSM6J771G Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
SSM6J771G,LF SSM6J771G,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J771G_datasheet_en_20140312.pdf?did=14222&prodName=SSM6J771G Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній