Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J511NU,LF
SSM6J511NU,LF

SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J511NU_datasheet_en_20170418.pdf?did=30767&prodName=SSM6J511NU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.61 грн
6000+ 7.95 грн
9000+ 7.15 грн
30000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SSM6J511NU,LF за ціною від 6.69 грн до 34.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J511NU_datasheet_en_20170418.pdf?did=30767&prodName=SSM6J511NU Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 42748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.18 грн
12+ 23.87 грн
100+ 14.31 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Виробник : Toshiba SSM6J511NU_datasheet_en_20170418-1092777.pdf MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch
на замовлення 35474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.46 грн
12+ 26.2 грн
100+ 12.64 грн
1000+ 8.59 грн
3000+ 6.76 грн
9000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10