![SSM6J422TU,LF SSM6J422TU,LF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4818/264;2-2T1D;;6.jpg)
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM6J422TU_datasheet_en_20210528.pdf?did=61137&prodName=SSM6J422TU](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): +6V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 4A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): +6V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6J422TU,LF за ціною від 5.2 грн до 33.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM6J422TU,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 7817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM6J422TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.7mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: UF6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|