![SSM6J212FE,LF SSM6J212FE,LF](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/SOT_563_ES6_SC_107_6_DSL.jpg)
на замовлення 17058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.03 грн |
12+ | 28.62 грн |
100+ | 17.26 грн |
500+ | 13.48 грн |
1000+ | 10.77 грн |
4000+ | 9.91 грн |
8000+ | 8.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J212FE,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 20V 4A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6J212FE,LF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SSM6J212FE,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||
SSM6J212FE,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
SSM6J212FE,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|
![]() |
SSM6J212FE,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
товар відсутній |