SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.41 грн |
| 6000+ | 5.91 грн |
| 9000+ | 5.32 грн |
| 30000+ | 4.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6H19NU,LF за ціною від 6.22 грн до 29.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6H19NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V |
на замовлення 42467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6H19NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz |
на замовлення 27051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|