на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.62 грн |
15+ | 21.9 грн |
100+ | 10.63 грн |
1000+ | 7.2 грн |
3000+ | 6.28 грн |
9000+ | 5.71 грн |
24000+ | 5.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K376R,LXHF Toshiba
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SSM3K376R,LXHF за ціною від 6.62 грн до 27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM3K376R,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SSM3K376R,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SSM3K376R,LXHF | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |