SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.18 грн |
| 6000+ | 4.77 грн |
| 9000+ | 4.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): +12V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K376R,LF за ціною від 3.78 грн до 31.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K376R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K376R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K376R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K376R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): +12V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V |
на замовлення 19843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K376R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V |
на замовлення 29532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3K376R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SSM3K376R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |