SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.79 грн |
| 6000+ | 4.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3K335R,LF за ціною від 4.46 грн до 29.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K335R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 83513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SSM3K335R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SSM3K335R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF |
на замовлення 70496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SSM3K335R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SSM3K335R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SSM3K335R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |