![SSM3K329R,LF SSM3K329R,LF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2588/SOT-23-3 Flat Leads PKG.jpg)
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM3K329R_datasheet_en_20211022.pdf?did=2157&prodName=SSM3K329R](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.35 грн |
6000+ | 5.98 грн |
9000+ | 5.29 грн |
30000+ | 4.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM3K329R,LF за ціною від 4.29 грн до 30.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3K329R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V |
на замовлення 36382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3K329R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 92811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3K329R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM3K329R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |