![SSM3K318R,LF(T SSM3K318R,LF(T](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SC8907-40.jpg)
SSM3K318R,LF(T TOSHIBA
![TOSC-S-A0002810476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 34.96 грн |
31+ | 26.64 грн |
100+ | 13.2 грн |
500+ | 10.33 грн |
1000+ | 7.75 грн |
3000+ | 6.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K318R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K318R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.0835 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції SSM3K318R,LF(T за ціною від 6.79 грн до 34.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3K318R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0835ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SSM3K318R,LF(T | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |