SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.93 грн |
| 6000+ | 8.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3K2615TU,LF за ціною від 6.96 грн до 35.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K2615TU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 2A UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: UFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V |
на замовлення 14319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K2615TU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V |
на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K2615TU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 2A Automotive 3-Pin UFM T/R |
товар відсутній |