SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.74 грн |
| 6000+ | 3.34 грн |
| 9000+ | 2.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA, Supplier Device Package: USM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K17FU,LF за ціною від 2.78 грн до 25.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K17FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Supplier Device Package: USM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±7V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 3 V |
на замовлення 31462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3K17FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V |
на замовлення 47109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|