SSM3K16CT,L3F

SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V.

Інші пропозиції SSM3K16CT,L3F за ціною від 2.16 грн до 22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16CT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5960&prodName=SSM3K16CT Description: MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 35350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.21 грн
21+ 13.59 грн
100+ 6.65 грн
500+ 5.2 грн
1000+ 3.61 грн
2000+ 3.13 грн
5000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM3K16CT,L3F SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba SSM3K16CT_datasheet_en_20140301-1316087.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
на замовлення 71355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22 грн
22+ 14.15 грн
100+ 5.27 грн
1000+ 3.18 грн
2500+ 2.57 грн
10000+ 2.23 грн
20000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
SSM3K16CT,L3F Виробник : Toshiba 23docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k16ct.jsptypedatasheetlangenp.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
товар відсутній