![SSM3K15AMFV,L3F SSM3K15AMFV,L3F](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/651/VESM.jpg)
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM3K15AMFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=2565&prodName=SSM3K15AMFV](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 2.79 грн |
16000+ | 2.43 грн |
24000+ | 2.3 грн |
40000+ | 2.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K15AMFV,L3F за ціною від 2.11 грн до 20.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3K15AMFV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: VESM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V |
на замовлення 54328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3K15AMFV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 177682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3K15AMFV,L3F | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |