на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 352+ | 3.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 100mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: CST3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3K15ACT(TPL3)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K15ACT(TPL3) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SSM3K15ACT(TPL3) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R |
товар відсутній |
|
 |
SSM3K15ACT(TPL3) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V |
товар відсутній |
|
|
|
SSM3K15ACT(TPL3) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: CST3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V |
товар відсутній |
|
 |
SSM3K15ACT(TPL3) | Виробник : Toshiba |
MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS |
товар відсутній |