SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.31 грн |
| 6000+ | 5.94 грн |
| 9000+ | 5.26 грн |
| 30000+ | 4.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA, Supplier Device Package: USM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V.
Інші пропозиції SSM3K09FU,LF за ціною від 4.28 грн до 28.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K09FU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V |
на замовлення 29328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3K09FU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Supplier Device Package: USM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V |
на замовлення 72888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|