Продукція > TOSHIBA > SSM3J35AMFV,L3F
SSM3J35AMFV,L3F

SSM3J35AMFV,L3F Toshiba

ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1894+6.26 грн
2249+ 5.27 грн
4022+ 2.95 грн
4066+ 2.81 грн
6000+ 1.94 грн
15000+ 1.82 грн
30000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 1894
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J35AMFV,L3F Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J35AMFV,L3F за ціною від 1.73 грн до 16.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Виробник : Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 31583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+15.25 грн
54+ 10.93 грн
100+ 5.66 грн
250+ 5.19 грн
500+ 4.19 грн
1000+ 2.34 грн
3000+ 2.32 грн
6000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 39
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.36 грн
28+ 10.35 грн
100+ 5.04 грн
500+ 3.95 грн
1000+ 2.74 грн
2000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Виробник : Toshiba SSM3J35AMFV_datasheet_en_20210201-1289307.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 59249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.88 грн
27+ 11.82 грн
100+ 6.49 грн
1000+ 2.91 грн
2500+ 2.5 грн
8000+ 1.89 грн
24000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Виробник : Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товар відсутній
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Виробник : Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товар відсутній
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Виробник : Toshiba ssm3j35amfv_datasheet_en_20210201.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товар відсутній
SSM3J35AMFV,L3F SSM3J35AMFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
товар відсутній