![SSM3J358R,LF SSM3J358R,LF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2588/SOT-23-3 Flat Leads PKG.jpg)
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
![SSM3J358R_datasheet_en_20170124.pdf?did=55837&prodName=SSM3J358R](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.94 грн |
6000+ | 6.53 грн |
9000+ | 5.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J358R,LF за ціною від 5.42 грн до 34.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V |
на замовлення 29853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 310638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SSM3J358R,LF Код товару: 168844 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SSM3J358R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |