![SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/307dc2d00696ce8cd8440ae7704db5c7a343640/ssm3j356rlf.jpg)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.99 грн |
9000+ | 5.21 грн |
24000+ | 5.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J356R,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J356R,LF за ціною від 3.9 грн до 29.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V |
на замовлення 245854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SSM3J356R,LF | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 91471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SSM3J356R,LF Код товару: 202544 |
![]() |
товар відсутній
|